四月十六日，通城，徐申学在智云微电子有限公司的总部里，举办了一场半导体会议。
会议主要针对现有七纳米以及五纳米工艺的产能扩充，未来三纳米工艺、二纳米工艺的技术攻关进行了讨论。
逻辑芯片是徐申学非常关注的一个领域，但是也不仅仅只是关注这个领域。
在储存芯片领域里徐申学也非常关注……因为储存芯片市场目前看似平静，但是新一轮的大规模价格战正在酝酿当中。
上一轮储存芯片市场的价格战，是两年前，当时的智云储存试图靠着先大规模量产的10c工艺玩价格战，四星半导体紧跟身后，试图联手打压海力士以及镁光。
但是出手过于仓促，资金准备也不是很妥当，最重要的是当时的10c工艺节点产能不够，10b工艺的竞争力也比较一般，最终导致效果不是很好。
搞了一四败俱伤的价格战，除了损失各自的利润外，没起到什么实际作用。
而现在，智云储存这边，打算再来一次！
这一次，他们将会准备的更加充分！
而这一次的半导体会议里，在储存芯片领域的讨论，其实也是为了下一轮的储存芯片市场的技术战以及价格战而准备。
闪存领域，根据会议讨论，将会重点围绕一百层到一百五十层之间的成熟3d nand闪存芯片进行大规模的产能扩充，同时建设扩充两百层以上的3d nand闪存芯片的大规模量产。
虽然两百层以上的闪存芯片已经有了，但是受限于成本以及产能问题，目前其实并不是主流。
主流储存芯片的层数，中高端产品是在一百层到一百五十层节点，而这个中高端市场，也是四大储存芯片巨头的核心营收以及利润来源……是支撑其研发新一代技术，建设下一代新工艺产能的战略支撑。
只要能够在这个市场区间里挤死对手，就等于断了对手的粮草，
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